磷化鎵

產品編號： 1216747 純度：99.99% metals basis CAS：12063-98-8

英文名稱：Gallium phosphide

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基本信息
屬性
計算化學
參考文獻
安全信息

產品編號

1216747

CAS 號

12063-98-8

英文名稱

Gallium phosphide

中文名稱

磷化鎵

英文別稱

Gallium monophosphide

中文別稱

磷化鎵粉

Smiles Code

[Ga][P]

MDL 號

MFCD00016109

分子式

GaP

分子量

100.70

存儲條件

Store at room temperature, keep dry and cool

純度

99.99% metals basis

網頁展示純度為入庫指導純度值，各批次間存在一定差異，實際純度以收貨為準

熔點

1480 °C

沸點

閃點

110°C

旋光

描述

磷化鎵 (GaP) 用于半導體器件，并用于制造摻雜其他元素或與磷化砷化鎵結合的發光二極管 (LED)。使用適當的摻雜劑，可以生產 p 型和 n 型半導體。它用于光學系統。

展開

TPSA

LogP

-0.5904

H_Acceptors

H_Donors

Rotatable_Bonds

[1]. David Richards, et al. Assessment of the passivation capabilities of two different covalent chemical modifications on GaP(100). Langmuir. 2010 Jun 1;26(11):8141-6.

[2]. Dion McIntosh, et al. High quantum efficiency GaP avalanche photodiodes. Opt Express. 2011 Sep 26;19(20):19607-12.

[3]. I Cestier, et al. Resonance enhanced large third order nonlinear optical response in slow light GaInP photonic-crystal waveguides. Opt Express. 2010 Mar 15;18(6):5746-53.

[4]. Ivan Avrutsky, et al. Mid-infrared optical parametric oscillators based on uniform GaP waveguides. Opt Express. 2010 Sep 13;18(19):20370-83.

[5]. Jian Wu, et al. Cavity-enhanced stimulated raman scattering from short GaP nanowires. Nano Lett. 2009 Sep;9(9):3252-7.

警示圖

警示詞

Warning

危險申明

H319-H335

警告申明

P261-P264-P271-P280-P304+P340-P405-P501

GHS 編碼

GHS07

歷史瀏覽記錄

資源工具

摩爾計算器

質量 (g) = 濃度 (mol/L) × 體積 (L) × 分子量(g/mol)

質量			濃度			體積			分子量 *
		=			×			×

計算

常用工具

元素周期表簡易版元素周期表豪華版常用數據表

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