可以在產品的外部標簽上找到：
| 規格 | 目錄價格 | 上海 | 安徽 | 武漢 | 成都 | 北方 | 深圳 | 會員價格 | 數量 |
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| 5g | ￥ ??ī?? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ??ī?? | - + |
| 10g | ￥ ??ī?? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ??ī?? | - + |
| 25g | ￥ ???ī?? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ???ī?? | - + |
| 100g | ￥ ???ī?? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ???ī?? | - + |
| 500g | 請詢價 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
| 1000g | 請詢價 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
| 大貨 | 請詢價 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
產品編號
1182389
CAS 號
1312-43-2
中文名稱
氧化銦(III)
MDL 號
MFCD00011060
分子量
277.64
存儲條件
2-8°C, protect from light, stored under nitrogen
網頁展示純度為入庫指導純度值，各批次間存在一定差異，實際純度以收貨為準
熔點
2000 °C
沸點
閃點
旋光
描述
[1]. Han Jin, et al. Sensing behavior of YSZ-based amperometric NO? sensors consisting of Mn-based reference-electrode and In?O? sensing-electrode. Talanta. 2012 Jan 15:88:318-23.
[2]. J J Lee, et al. Electrical and optical properties of indium zinc oxide (IZO) thin films by continuous composition spread. J Nanosci Nanotechnol. 2013 May;13(5):3317-20.
[3]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.
[4]. Jason M Thornton, et al. Efficient photocatalytic hydrogen production by platinum-loaded carbon-doped cadmium indate nanoparticles. ACS Appl Mater Interfaces. 2012 May;4(5):2426-31.
[5]. K H L Zhang, et al. Thickness dependence of the strain, band gap and transport properties of epitaxial In2O3 thin films grown on Y-stabilised ZrO2(111). J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334211.
警示圖
警示詞
Warning
危險申明
H302-H315-H319-H335
警告申明
P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P330-P362+P364-P403+P233-P405-P501
GHS 編碼
GHS07
現貨供應
專業護航
售后無憂
品質保障
無需湊單
滬ICP備17019645號
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