磷化銦(III)

產品編號： 1182394 純度：98% CAS：22398-80-7

英文名稱：Indium(III)phosphide

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檢測信息

Data Sheet

基本信息
屬性
計算化學
參考文獻
安全信息

產品編號

1182394

CAS 號

22398-80-7

英文名稱

Indium(III)phosphide

中文名稱

磷化銦(III)

英文別稱

Indium phosphide

中文別稱

磷化銦(III), 99.9999% (METALS BASIS)

Smiles Code

[In][P]

MDL 號

MFCD00016153

分子式

InP

分子量

145.79

存儲條件

2-8°C, protect from light, stored under nitrogen

純度

98%

網頁展示純度為入庫指導純度值，各批次間存在一定差異，實際純度以收貨為準

熔點

1070 °C

沸點

閃點

旋光

描述

磷化銦 (III) 因其出色的電子速度而被用于大功率和高頻電子設備。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電子設備。它還用作外延砷化銦鎵基光電器件的襯底。

展開

TPSA

LogP

-0.5904

H_Acceptors

H_Donors

Rotatable_Bonds

[1]. Alberto L D Moreau, et al. Highly-sensitive and label-free indium phosphide biosensor for early phytopathogen diagnosis. Biosens Bioelectron. 2012 Jun-Jul;36(1):62-8.

[2]. Hwa Sub Oh, et al. Structural and optical investigation of GaInP quantum dots according to the growth thickness for the 700 nm light emitters. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Jan;13(1):564-7.

[3]. J S Fandi?o, et al. Integrated InP frequency discriminator for Phase-modulated microwave photonic links. Opt Express. 2013 Feb 11;21(3):3726-36.

[4]. John S Parker, et al. Regrowth-free high-gain InGaAsP/InP active-passive platform via ion implantation. Opt Express. 2012 Aug 27;20(18):19946-55.

[5]. Jongho Lee, et al. Stretchable semiconductor technologies with high areal coverages and strain-limiting behavior: demonstration in high-efficiency dual-junction GaInP/GaAs photovoltaics. Small. 2012 Jun 25;8(12):1851-6.

警示圖

警示詞

Danger

危險申明

H350-H361-H372

警告申明

P260-P264-P270-P280-P405-P501

GHS 編碼

GHS08

歷史瀏覽記錄

資源工具

摩爾計算器

質量 (g) = 濃度 (mol/L) × 體積 (L) × 分子量(g/mol)

質量			濃度			體積			分子量 *
		=			×			×

計算

常用工具

元素周期表簡易版元素周期表豪華版常用數據表

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英文名稱：Indium(III)phosphide

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Indium(III)phosphide

英文別稱

Indium phosphide

中文別稱

磷化銦(III), 99.9999% (METALS BASIS)

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[In][P]

分子式

InP

純度

98%

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