氧化鎵,99.8% metals basis

產品編號： 1786436 純度：99.8% metals basis CAS：12024-21-4

英文名稱：Gallium oxide, 99.8% metals basis

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產品名稱：Gallium oxide, 99.99% 純度：99.99%

產品編號：1239586

CAS號：12024-21-4

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基本信息
屬性
計算化學
參考文獻
安全信息

產品編號

1786436

CAS 號

12024-21-4

英文名稱

Gallium oxide, 99.8% metals basis

中文名稱

氧化鎵,99.8% metals basis

英文別稱

中文別稱

Smiles Code

O=[Ga][Ga]([O])[O]

MDL 號

MFCD00011020

分子式

Ga2O3

分子量

187.44

存儲條件

純度

99.8% metals basis

網頁展示純度為入庫指導純度值，各批次間存在一定差異，實際純度以收貨為準

熔點

沸點

閃點

旋光

描述

氧化鎵（III）用于真空沉積。它可用于制造半導體器件、鎵-氧化鋁催化劑、氣體傳感器、發光磷光體和太陽能電池的介電涂層。用作電介質薄膜中 99.999% 的蒸發材料和濺射靶材。它顯示出開發用于紫外光電子器件的深紫外 TCO（透明導電氧化物）和透明電極的潛力。最近的研究報告稱，氧化鎵可以成為電力電子設備的有力競爭者，例如在超高壓電源開關應用中。由氧化鎵制成的薄膜由于其氣體敏感特性而獲得了商業利益，而由氧化鎵制成的玻璃是用于先進技術的首選光學材料。

展開

TPSA

56.87

LogP

-1.118

H_Acceptors

H_Donors

Rotatable_Bonds

[1]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 2012 Mar 28;14(12):4155-61.

[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2011 Oct 5;133(39):15397-411.

[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8481-6.

[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334212.

[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.

警示圖

警示詞

Warning

危險申明

H302-H315-H319-H335

警告申明

P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P330-P362+P364-P403+P233-P405-P501

GHS 編碼

GHS07

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資源工具

摩爾計算器

質量 (g) = 濃度 (mol/L) × 體積 (L) × 分子量(g/mol)

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常用工具

元素周期表簡易版元素周期表豪華版常用數據表

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O=[Ga][Ga]([O])[O]

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