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| 規格 | 目錄價格 | 上海 | 安徽 | 武漢 | 成都 | 北方 | 深圳 | 會員價格 | 數量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5g | ￥ ????? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ????? | - + |
| 10g | ￥ ????? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ????? | - + |
| 25g | ￥ ?????? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ?????? | - + |
| 100g | ￥ ?????? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ?????? | - + |
| 500g | ￥ ??????? | -- | -- | -- | -- | -- | -- | ￥ ??????? | - + |
| 1000g | 請詢價 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
| 大貨 | 請詢價 | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - + |
產品編號
1786440
CAS 號
12024-21-4
中文名稱
氧化鎵,99.999% metals basis
MDL 號
MFCD00011020
分子量
187.44
存儲條件
網頁展示純度為入庫指導純度值，各批次間存在一定差異，實際純度以收貨為準
熔點
沸點
閃點
旋光
描述
TPSA
56.87
LogP
-1.118
H_Acceptors
1
H_Donors
0
Rotatable_Bonds
1
[1]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 2012 Mar 28;14(12):4155-61.
[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2011 Oct 5;133(39):15397-411.
[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8481-6.
[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334212.
[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.
警示圖
警示詞
Warning
危險申明
H302-H315-H319-H335
警告申明
P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P330-P362+P364-P403+P233-P405-P501
GHS 編碼
GHS07
1239586 現貨
￥ ????? -5g
1707413 貨期咨詢
￥ ????? -5g
1786436 貨期咨詢
現貨供應
專業護航
售后無憂
品質保障
無需湊單
滬ICP備17019645號
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