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China

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400-821-0725

銦粉

產品編號: 1166870 純度:99.99% CAS:7440-74-6

英文名稱:Indium

規格 目錄價格 上海 安徽 武漢 成都 北方 深圳 會員價格 數量
1g ¥ ??ǜ?? > 10 -- -- -- -- -- ¥ ??ǜ?? - +
5g ¥ ???ǜ?? > 10 -- 5 8 6 5 ¥ ???ǜ?? - +
25g ¥ ???ǜ?? > 10 -- 4 7 8 4 ¥ ???ǜ?? - +
100g ¥ ????ǜ?? > 10 -- 5 7 7 4 ¥ ????ǜ?? - +
500g 請詢價 -- -- -- -- -- -- -- - +
1000g 請詢價 -- -- -- -- -- -- -- - +
大貨 請詢價 -- -- -- -- -- -- -- - +

* 產品數量不能為 0.

* 樂研的所有產品僅用作科學研究,我們不為任何個人用途提供產品和服務

  • 基本信息
  • 屬性
  • 計算化學
  • 參考文獻
  • 安全信息

產品編號

1166870

CAS 號

7440-74-6

英文名稱

Indium

中文名稱

銦粉

英文別稱

INDIUM WIRES

中文別稱

高純銦,銦粒/銦粉

Smiles Code

[In]

MDL 號

MFCD00134048

分子式

In

分子量

114.82

存儲條件

Store at room temperature, keep dry and cool

純度

99.99%

網頁展示純度為入庫指導純度值,各批次間存在一定差異,實際純度以收貨為準

熔點

156.6 °C

沸點

2000 °C at 760 mmHg

閃點

旋光

描述

作為焊料、熱熔斷器、易熔合金,以及在半導體工業中以 InAs 和 InSb 形式存在
展開

TPSA

0

LogP

-1.1839

H_Acceptors

0

H_Donors

0

Rotatable_Bonds

0

[1]. Akiyo Tanaka, et al. Toxicity of indium arsenide, gallium arsenide, and aluminium gallium arsenide. Toxicol Appl Pharmacol. 2004 Aug 1;198(3):405-11.

[2]. G W Shu, et al. Optical coupling from InGaAs subcell to InGaP subcell in InGaP/InGaAs/Ge multi-junction solar cells. Opt Express. 2013 Jan 14:21 Suppl 1:A123-30.

[3]. Hwa Sub Oh, et al. Structural and optical investigation of GaInP quantum dots according to the growth thickness for the 700 nm light emitters. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Jan;13(1):564-7.

[4]. Masaru Zaitsu, et al. Experimental demonstration of self-aligned InP/InGaAsP polarization converter for polarization multiplexed photonic integrated circuits. Opt Express. 2013 Mar 25;21(6):6910-8.

[5]. Michelle D Regulacio, et al. Aqueous synthesis of highly luminescent AgInS?-ZnS quantum dots and their biological applications. Nanoscale. 2013 Mar 21;5(6):2322-7.

警示圖

警示詞

Danger

危險申明

H228-H315-H319-H335

警告申明

P210-P240-P241-P280-P370+P378

GHS 編碼

GHS02,GHS07

危險類別

4.1

UN 編碼

3089

包裝等級

銦粉 的合成線路

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資源工具

摩爾計算器

質量 (g) = 濃度 (mol/L) × 體積 (L) × 分子量(g/mol)

質量 濃度 體積 分子量 *
= × ×

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